Самсунг начала производство чипов UFS-памяти на 512 Гб

Однако прогресс тормозить не собирается — компания Самсунг начала производство модулей памяти для мобильных устройств емкостью 512 ГБ. Тот же Galaxy Note 8 с 256 Гб на встроенной памяти стоит больше $1 000, что для многих находится за гранью представления «доступно». Современная конструкция микросхемы 64-слойной памяти 512 Гб V-NAND и новая технология управления питанием в контроллере 512 ГБ eUFS минимизируют неизбежное увеличение энергопотребления, что особенно заметно, так как новое решение 512 ГБ eUFS содержит вдвое больше ячеек в сравнении с памятью 256 ГБ eUFS. Для максимизации производительности и энергетической эффективности использованы самые новые проприетарные технологии Самсунг. Новый 64-слойный чип V-NAND дает возможность хранить до 10 раз больше 4К-видео в сопоставлении с подобным накопителем на 64 ГБ.

Когда на рынке появятся первые мобильные телефоны, оснащенные 512 ГБ флэш-памяти, пока данных нет. Источники утверждают, что топовая конфигурация Самсунг Galaxy S9 смогут похвастаться рекордным для мобильных устройств объемом свободного пространства — 512 ГБ. Благодаря высокой скорости различной записи памяти eUFS, которая приблизительно в 400 раз превосходит скорость в 100 операций ввода/вывода за секунду, характерную для обычных карт microSD, юзеры мобильных устройств могут полноценно пользоваться мультимедийными функциями, например, вести серийную съёмку в высоком разрешении, а еще искать файлы и загружать видео в режиме просмотра с 2-мя приложениями.

Работоспособность на операциях чтения и записи с произвольным доступом доходит 42 000 и 40 000 IOPS соответственно.

Bookmark the permalink.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *