Самсунг приступает к массовому производству 10-нм изделий

Таким образом, южнокорейский вендор стал первой на планете компанией, инженеры которой сумели запустить серийное производство полупроводников с транзисторами, длина который составляет всего 10 нм. Лидер рынка в области полупроводников, компания Intel зимой 2015-го объявила о том, что откладывает запуск в серийное производство 10-нанометровых транзисторов до конца 2017.

В процессе производства применяются транзисторы с 3D-структурой.

Компания Самсунг сказала о старте массового производства чипсетов по 10-нм технологии FinFET.

В общем внедрение 10-нм техпроцесса FinFET по располагаемым последним сведениям компании Самсунг позволило на 30 процентов увеличить эффективность применения рабочей площади чипа, на 27 процентов увеличить его работоспособность и 40 процентов снизить показатель энергопотребления. На текущий момент применяемый Самсунг 10-нм техпроцесс первого поколения носит обозначение 10LPE, а используемый для выпуска не менее производительных изделий техпроцесс 10LPP начнёт использоваться во 2-ой половине 2017 года.

Согласно закону Мура, на интегральной схеме количество транзисторов умножается каждые два года. Обе, как ожидается, отыщут применение в следующем телефоне Самсунг семейства Galaxy S, которых, должен выйти в 2-х версиях к концу зимы 2016 года. Дело в том, что производить транзисторы наименьшего размера с каждым годом становиться все труднее. Большая часть предъявленных сегодня на рынке чипов оборудована транзисторами, произведенными по 20-нанометровому техпроцессу.

Bookmark the permalink.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *